El Transistor IGBT

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El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

Características de funcionamiento:

  • Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
  • Facilidad de manejo (MOSFET)

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

  • Bajo ciclo de trabajo
  • Baja frecuencia (< 20 kHz)
  • Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
  • Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones Generales IGBT:

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensión, no sólo por su capacidad de potencia sino también porque son tan rápidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el oído humano.

Otro ejemplo curioso de aplicación de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los píxeles en las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de edificios o centrales de conmutación telefónica.

Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de fabricación de semiconductores, unidades de control de motores en automóviles y vehículos eléctricos híbridos, equipos de soldadura.